| 摘要 |
半導体装置は、半導体チップと、誘電体基板と、ボンディングワイヤ（１１３及び１１２）とを有し、誘電体基板は、表面の配線パターン（１１０及び１０９）と、裏面の接地金属層とを備え、半導体チップは、能動素子と、当該能動素子の出力端に接続されたドレインパッドとを備え、配線パターン（１１０）は、配線パターン（１０９）よりもドレインパッドに近い位置に形成され、配線パターン（１１０）と接地金属層とで第１の容量素子が形成され、配線パターン（１０９）と接地金属層とで第２の容量素子が形成され、ドレインパッドは、ボンディングワイヤ（１１３）を介して配線パターン（１１０）と接続され、ボンディングワイヤ（１１２）を介して配線パターン（１０９）と接続され、ボンディングワイヤ（１１３）と第１の容量素子とにより高域通過型整合回路が形成されている。 |
