发明名称 用以生长成型单晶氧化铝瓷的导模结构
摘要 本实用新型为用以生长成型单晶氧化铝瓷的导模结构。其内部的温差较小,单晶氧化铝瓷结晶时成品率高,成本较低,适合工业化批量生产。其包括坩埚,所述坩埚通过托柄安装于加热器内,所述加热器安装于电极板,所述加热器外设置有保温屏,所述坩埚内设置有结晶器,所述结晶器结晶台面的上方设置有籽晶,所述籽晶通过连接结构与籽晶轴接套连接,其特征在于:所述的坩埚为长方体形或两端部为圆弧形状的长方条形,所述的结晶器沿坩埚的长度方向的中心线依次布置,所述加热器为长方体形或两端部为圆弧形状的长方条形。
申请公布号 CN200981899Y 申请公布日期 2007.11.28
申请号 CN200620075673.4 申请日期 2006.08.25
申请人 俞鹤庆;俞瑾 发明人 俞鹤庆;俞瑾
分类号 C30B15/24(2006.01);C30B29/20(2006.01) 主分类号 C30B15/24(2006.01)
代理机构 无锡盛阳专利事务所 代理人 顾吉云
主权项 权利要求书1、用以生长成型单晶氧化铝瓷的导模结构,其包括坩埚,所述坩埚通过托柄安装于加热器内,所述加热器安装于电极板,所述加热器外设置有保温屏,所述坩埚内设置有结晶器,所述结晶器结晶台面的上方设置有籽晶,所述籽晶通过连接结构与籽晶轴接套连接,其特征在于:所述的坩埚为长方体形或两端部为圆弧形状的长方条形,所述的结晶器沿坩埚的长度方向的中心线依次布置,所述加热器为长方体形或两端部为圆弧形状的长方条形。
地址 214000江苏省无锡市滨湖区溪北新村20号-503室