刻蚀含－碳层的方法和制造半导体器件的方法

摘要

提供一种使用含－Si气体在半导体衬底上刻蚀含－碳层的方法，以及一种制造半导体器件的相关方法，其中通过使用根据本发明形成的以及具有几十nm宽度的含－碳层图形作为刻蚀掩模，刻蚀层间绝缘层，形成具有优异侧壁外形的多个接触孔。为了刻蚀待用作第二刻蚀掩模的含－碳层，在该含－碳层上形成第一掩模图形，以部分地露出含－碳层的顶表面。然后使用第一掩模图形作为第一刻蚀掩模，利用由O₂和含－Si气体形成的碳－刻蚀混合气体的等离子各向异性地刻蚀含－碳层，以形成含－碳层图形。根据本发明制造的高密度单元阵列区中的相邻接触孔明显地互相分开，即使当相邻接触孔之间的间隔小到几十nm以下；因此可以防止使用这种接触孔的相邻基本单元之间的短路。

主权项

1.一种刻蚀半导体衬底上的含-碳层，以形成含-碳层图形的方法，该方法包括以下步骤：在含-碳层上形成掩模图形，以部分地露出含-碳层的顶表面；以及利用包括由O2和含-Si气体形成的碳-刻蚀混合气体的等离子，使用掩模图形作为刻蚀掩模，各向异性地刻蚀该含-碳层，以形成含-碳层图形。