| 主权项 |
1.在一真空电子管中,一氧化物阴极包含一金属基体,用以加热该基体至其工作温度之装置,及在基体上基本上由硷土金属氧化物构成之一层。其中,该基体基本上不含矽,且含有大于1.0重量百分率之可作用浓度之铬金属,用以逐渐还原该氧化物,以产生硷土金属。2.根据上述请求专利部份第1项所述之氧化物阴极,其中,该铬以5至20重量百分率范围之浓度存在于基体中。3.根据上述请求专利部份第1项所述之氧化物阴极,其中,该铬以平均约6.0重量百分率之浓度存在于基体中4.根据上述请求专利部份第1项所述之氧化物阴极,其中,该基体依以下制备:将基本上不含铭及矽之一金属基层与含有大比例之铬金属且不含矽之一金属辅助层结合一起,以可加热分解为该氧化物层之材料涂覆于金属基层之表面上,然后在特定温度上加热经涂覆及结合之金属层,在该温度上,辅助层中可作用比例之铬逐渐迁移进入该基层及该涂层。5.根据上述请求专利部份第4项所述之氧化物阴极,其中,经涂覆及结合之金属层在1030至1080K温度范围中加热至少50小时。6.根据上述请求专利部份第1项所述之氧化物阴极,其中,该基体除含有铬金属外,另含有可作用比例之至少一还原剂。7.根据上述请求专利部份第1项所述之氧化物阴极,其中,该金属基体基本上由大比例之镍金属及小比例之多种金属还原剂构成,该等金属还原剂包含(a)该铬金属,及(b)至少一快速作用金属还原剂,以还原该氧化物层,及该氧化物层包含氧化钡。8.根据上述请求专利部份第7项所述之氧化物阴极,其中,该一快速作用金属还原剂为镁金属。9.在一真空电子管中,一热离子阴极包含:(a)一金属基体,具有一主外表面,(b)一电子发射材料层,在该表面上,该材料包含一钡之氧化化合物,作为主要成份,(c)及加热装置,用以在使该层发射电子之温度上加热该基体及该层。该金属基体基本上由大比例之镍金属及大于1.0重量百分率之小比例之铬金属组成,铬金属作为氧化钡之主要还原剂,该基体基本上不含矽。10.根据上述请求专利部份第9项所述之阴极,其中,该铬金属自邻接之铬来源由热迁移作用引进该基体中。11.根据上述请求专利部份第10.项所述之阴极,其中,该邻接之来源为涂覆于与外表面相反之一表面上之一铬金属层。12.根据上述请求专利部份第10.项所述之阴极,其中,该邻接之来源为结合于与外表面相反之一表面上之一镍一铬合金片。13.一真空电子管包含一真空管壳,管壳内具有间接加热之热离子阴极,该阴极由如下制备:(1)提供一双金属基体,基体包含基本上由镍及铭合金构成之一内层,与基本上由镍金属构成之一外层相结合,让内及外层均不含矽,(2)由基本上钡,锶,及钙之至少之一之氧化化合物所构成之材料涂覆于外层之表面上,(3)安装经涂覆之基体于管壳中,(4)将管壳抽气至低体压力,及然后(5)在1030至1080K之温度范围上加热该基体及涂层至少10.小时,因而氧化化合物涂层分解,以产生一氧化物层,且铬迁移进入该外层中。 |
