| 主权项 |
1.一种改善CMOS影像感测器制程中第一图素输出高起之方法,包括:提供一n型基底,该n型基底上已形成一p型井与用以绝缘隔离之一场氧化层,并且该p型井表面上已形成一n型掺杂区;在该n型基底上方,形成一介电层;在该介电层上,形成一罩幕层,该罩幕层具有一开口,于该n型掺杂区上方;以该罩幕层为蚀刻罩幕,蚀刻该介电层,形成一接触孔洞;移除该罩幕层;以及在该介电层上,形成一导电层,填入该接触孔洞中,并且定义该导电层图案。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该罩幕层包括光阻层。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该导电层包括金属层。4.一种改善CMOS影像感测器制程中第一图素输出高起之方法,包括:提供一n型基底,该n型基底区分成一元件区与一切割道区,该n型基底上已形成位于该元件区之一p型井与用以绝缘隔离位于该元件区与该切割道区介面之一场氧化层,并且该p型井表面上已形成一n型掺杂区;在该n型基底上方,形成一介电层;蚀刻位于该n型掺杂区上方之该介电层,形成一接触孔洞;以及在该介电层上,形成一导电层,填入该接触孔洞中,并且定义该导电层图案。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中,该罩幕层包括光阻层。6.如申请专利范围第4项所述之方法,其中,该导电层包括金属层。7.一种改善CMOS影像感测器制程中第一图素输出高起之方法,该方法特征在于增加位于一元件区与一切割道区介面的一场氧化层长度,使得部分该场氧化层位于该切割道区;以及,当实施接触蚀刻时,以一罩幕层覆盖该切割道区,不蚀刻该切割道区上方之一介电层。图式简单说明:第一图绘示习知CMOS影像感测器的晶片在晶圆上排列配置简略示意图;第二图绘示习知一种CMOS影像感测器第一图素的结构剖面示意图;第三图绘示习知第一图素发生输出高起之原因解释图;以及第四图A至第四图C绘示本发明较佳实施例之一种CMOS感测器之制造流程剖面示意图。 |
