| 主权项 |
1.一种垫高元件源/汲极区之元件制造方法,包括下列步骤:设一垫高用矽材料层于一基板上,并且置于待形成之半导体元件之源/汲极区;于该垫高用矽材料层和暴露之该基板上,设一闸极介电质层;于该闸极介电质层上,设一闸极电极层;蚀刻该闸极电极层,于待形成之半导体元件之闸极区上形成一闸极结构;对该垫高用矽材料层和该基板,进行淡掺杂布植;于该闸极结构之侧边,设边墙间隔物;以及对该垫高用矽材料层和该基板,进行浓掺杂布植。2.如申请专利范围第1项所述之元件制造方法,其中该垫高用矽材料层系为复晶矽所构成,其厚度系由后续之金层矽化制程中使用之金层材料量和反应条件所决定。3.如申请专利范围第1项所述之元件制造方法,其中设该垫高用矽材料层之步骤更包括下列步骤:设一牺牲介电质层于该基板上;利用光学微影蚀刻制程,蚀刻该牺牲介电质层为一闸极罩幕,用覆盖待形成之半导体元件之闸极区;于该闸极罩幕和该基板上,设一矽材料层;去除该矽材料层置于该闸极罩幕之上方和周边之部分,用以形成该垫高用矽材料层于源/汲极区;以及去除该闸极罩幕。4.如申请专利范围第3项所述之元件制造方法,其中去除部分之该矽材料层之步骤中,系利用闸极光罩为罩幕的方式达成。5.如申请专利范围第3项所述之元件制造方法,其中去除部分之该矽材料层之步骤中,系利用化学机械式研磨(CMP)方式达成。6.如申请专利范围第3项所述之元件制造方法,其中该矽材料层系为复晶矽所构成,其厚度系由后续之金层矽化制程中使用之金层材料量和反应条件所决定。7.如申请专利范围第1项所述之元件制造方法,其中设该垫高用矽材料层之步骤更包括下列步骤:设一矽材料层于该基板上;设一介电质层于该矽材料层上;根据一闸极光罩和使用光学微影蚀刻,蚀刻该介电质层在待形成之半导体元件之闸极区之部分,藉以暴露出该矽材料层;热氧化该矽材料层中暴露之部分,形成一热氧化物层;以及去除该热氧化层和该介电质层之残余部分。8.如申请专利范围第7项所述之元件制造方法,其中该垫高用矽材料层系为复晶矽所构成,其厚度系由后续之金层矽化制程中使用之金层材料量和反应条件所决定。9.如申请专利范围第1项所述之元件制造方法,其中该闸极介电质层于该垫高用矽材料层之上的部分,系于形成该闸极结构之步骤中一并去除。10.如申请专利范围第1项所述之元件制造方法,其中该闸极介电质层于该垫高用矽材料层之上的部分,系于形成该边墙间隔物之步骤中一并去除。11.一种垫高元件源/汲极区之元件制造方法,包括下列步骤:设一垫高用矽材料层于一基板上,并且置于待形成之半导体元件之源/汲极区;于待形成之半导体元件之闸极区上,设该半导体元件之一闸极结构,该垫高用矽材料层和该闸极结构中之电极为隔离状态;以及布植该垫高用矽材料层和该基板于待形成之半导体元件之源/汲极区,以形成该半导体元件之源/汲极;藉此,该垫高用矽材料层在后续之金层矽化制程中,可用以与一金属材料层反应,于该半导体元件之源/汲极上形成自动对应金层矽化物区。12.如申请专利范围第11项所述之元件制造方法,其中该垫高用矽材料层系为复晶矽所构成,其厚度系由后续之金层矽化制程中使用之金层材料量和反应条件所决定。13.如申请专利范围第11项所述之元件制造方法,其中设该垫高用矽材料层之步骤更包括下列步骤:设一牺牲介电质层于该基板上;利用光学微影蚀刻制程,蚀刻该牺牲介电质层为一闸极罩幕,用覆盖待形成之半导体元件之闸极区;设一矽材料层于该闸极罩幕和该基板上;去除该矽材料层置于该闸极罩幕之上方和周边之部分,用以形成该垫高用矽材料层于源/汲极区;以及去除该闸极罩幕。14.如申请专利范围第13项所述之元件制造方法,其中去除部分之该矽材料层之步骤中,系利用闸极光罩为罩幕的方式达成。15.如申请专利范围第13项所述之元件制造方法,其中去除部分之该矽材料层之步骤中,系利用化学机械式研磨(CMP)方式达成。16.如申请专利范围第13项所述之元件制造方法,其中该矽材料层系为复晶矽所构成,其厚度系由后续之金层矽化制程中使用之金层材料量和反应条件所决定。17.如申请专利范围第11项所述之元件制造方法,其中设该垫高用矽材料层之步骤更包括下列步骤:设一矽材料层于该基板上;设一介电质层于该矽材料层上;根据一闸极光罩和使用光学微影蚀刻,蚀刻该介电质层在待形成之半导体元件之闸极区之部分,藉以暴露出该矽材料层;热氧化该矽材料层中暴露之部分,形成一热氧化物层;以及去除该热氧化层和该介电质层之残余部分。18.如申请专利范围第17项所述之元件制造方法,其中该垫高用矽材料层系为复晶矽所构成,其厚度系由后续之金层矽化制程中使用之金层材料量和反应条件所决定。19.一种元件制造方法,包括下列步骤:设一垫高用矽材料层于一基板上,并且置于待形成之半导体元件之源/汲极区;于待形成之半导体元件之闸极区上,设该半导体元件之一闸极结构,该垫高用矽材料层和该闸极结构中之电极为隔离状态;布植该垫高用矽材料层和该基板于待形成之半导体元件之源/汲极区,以形成该半导体元件之源/汲极;于该半导体元件之该闸极结构和该源/汲极,设一金属层;以及热反应该金属层与该半导体元件之源/汲极上的该垫高用矽材料层,藉以在该源/汲极形成自动对准金属矽化物。20.如申请专利范围第19项所述之元件制造方法,其中该垫高用矽材料层系为复晶矽所构成,其厚度系由后续之金层矽化制程中使用之金层材料量和反应条件所决定。21.如申请专利范围第19项所述之元件制造方法,其中设该垫高用矽材料层之步骤更包括下列步骤:设一牺牲介电质层于该基板上;利用光学微影蚀刻制程,蚀刻该牺牲介电质层为一闸极罩幕,用覆盖待形成之半导体元件之闸极区;设一矽材料层于该闸极罩幕和该基板上;去除该矽材料层置于该闸极罩幕之上方和周边之部分,用以形成该垫高用矽材料层于源/汲极区;以及去除该闸极罩幕。22.如申请专利范围第21项所述之元件制造方法,其中去除部分之该矽材料层之步骤中,系利用闸极光罩为罩幕的方式达成。23.如申请专利范围第21项所述之元件制造方法,其中去除部分之该矽材料层之步骤中,系利用化学机械式研磨(CMP)方式达成。24.如申请专利范围第19项所述之元件制造方法,其中设该垫高用矽材料层之步骤更包括下列步骤:设一矽材料层于该基板上;设一介电质层于该矽材料层上;根据一闸极光罩和使用光学微影蚀刻,蚀刻该介电质层在待形成之半导体元件之闸极区之部分,藉以暴露出该矽材料层;热氧化该矽材料层中暴露之部分,形成一热氧化物层;以及去除该热氧化层和该介电质层之残余部分。图式简单说明:第一图至第十一图表示本发明第一实施例中之半导体元件制造方法的剖面流程示意图。第十二图至第十五图表示本发明第二实施例中之半导体元件制造方法的剖面流程示意图,特别是形成垫高用复晶矽层之处理部分。第十六图至第十八图表示本发明第三实施例中之半导体元件制造方法的剖面流程示意图,特别是形成垫高用复晶矽层之处理部分。 |
