High-voltage semiconductor device.

摘要

Bei Hochvolttransistoren wird der an die Oberfläche sich erstreckende pn-Übergang der Basis-Kollektor-Diode mit einer Glasschicht passiviert, um hierdurch eine ausreichende Sperrspannung sicherzustellen. Bei hohen Betriebstemperaturen treten jedoch Sperrspannungsverluste auf. Erfindungsgemäß wird eine niedrig dotierte p-leitende Zone vorgesehen, die den Basis-Bereich eines npn-Transistors ringförmig umschließt und von der Oberfläche aus tiefer reicht als die Basiszone. Mit einer solchen Anordnung wird eine hohe Sperrspannung erreicht, die bis über 200 °C hinaus temperaturstabil ist.