| 主权项 |
1.一种场发射装置,包括:一具有主要表面之阳极;一具有主要表面之基质;一具有一电子发射器,一第一阴极,一第二阴极,及一表面之阴极结构,第一及第二阴极装置于基质之主要表面,该阴极结构之表面具有覆盖于第一及第二阴极之第一部分及与第一部分共同延展之第二部分且置于第一及第二阴极之间;该阴极结构之表面与阳极之主要表面相隔开以定义其间之内空间区域;一缓冲器配置于内空间区域并具有第一边缘及第二边缘,该第一边缘贴近衔接装置于阳极之主要表面,该第二边缘贴近衔接装置于阴极主要表面之第二部分,阴极结构之电子发射器与缓冲器之第二边缘相隔开;且该缓冲器之第二边缘与阴极结构表面之第一部分定义了覆盖第一阴极之第一间隙及覆盖于第二阴极之第二间隙藉此第一及第二间隙避免缓冲器与第一及第二阴极间之物理及电性接触。2.如申请专利范围第1项之场发射装置,其中该缓冲器进一步包括由缓冲器第二边缘定义之第一及第二缓冲器槽,第一缓冲器槽覆盖第一阴极而第二缓冲器槽覆盖第二阴极。3.如申请专利范围第1项之场发射装置,其中该阴极结构进一步包括装置于第一及第二阴极之球状突起并定义了阴极结构表面之第二部分,且其中阴极结构表面第一部分与基质之主要表面间具有第一高度而阴极结构表面第二部分与基质之主要表面间具有第二高度,第二高度大于第一高度。4.如申请专利范围第1项之场发射装置,其中该阴极结构进一步包括装置于第一及第二阴极之缓冲器衬垫并定义了阴极结构表面之第二部分,且其中阴极结构表面第一部分与基质之主要表面间具有第一高度而阴极结构表面第二部分与基质之主要表面间具有第二高度,第二高度大于第一高度。5.如申请专利范围第4项之场发射装置,其中该阴极结构进一步包括装置于第一及第二阴极之绝缘层,且其中缓冲器衬垫包括一装置于基质主要表面之安定垫层,一装置于安定垫层之阴极垫层,及一装置于阴极垫层之绝缘层部分。6.一种场发射装置,包括:一具有主要表面之阳极;一具有主要表面之基质;一具有电子发射器,一第一阴极,一第二阴极,一缓冲器接触层及一表面,第一及第二阴极装置于基质之主要表面,阴极结构之表面具有覆盖于第一及第二阴极之第一部分及与第一部分共同延展之第二部分且置于第一及第二阴极之间,该阴极结构表面之第二部份以缓冲器接触层定义;该阴极结构之表面与阳极之主要表面相隔开以定义其间之内空间区域;一缓冲器配置于内空间区域并具有第一边缘,第二边缘,及装置于第二边缘之传导层,该第一边缘贴近衔接装置于阳极之主要表面,传导层贴近衔接装置于位于阴极结构表面第二部份之缓冲器接触层,阴极结构之电子发射器与缓冲器之第二边缘相隔开;且该缓冲器之传导层与阴极结构表面之第一部分定义了覆盖第一阴极之第一间隙及覆盖于第二阴极之第二间隙藉此第一及第二间隙避免缓冲器传导层与第一及第二阴极间之物理及电性接触。7.如申请专利范围第6项之场发射装置,其中该缓冲器进一步包括由缓冲器第二边缘定义之第一及第二缓冲器槽,第一缓冲器槽覆盖第一阴极而第二缓冲器槽覆盖第二阴极。8.如申请专利范围第6项之场发射装置,其中该缓冲器接触层进一步包括装置于第一与第二阴极之球状突起并定义了阴极结构表面之第二部分,且其中阴极结构表面第一部分与基质之主要表面间具有第一高度而阴极结构表面第二部分与基质之主要表面间具有第二高度,第二高度大于第一高度。9.如申请专利范围第6项之场发射装置,其中该阴极结构进一步包括一装置于第一及第二阴极之缓冲器衬垫,缓冲器接触层定义了缓冲器衬垫表面,且其中阴极结构表面之第一部分与基质之主要表面间具有第一高度而阴极结构表面第二部分与基质之主要表面间具有第二高度,第二高度大于第一高度。10.如申请专利范围第9项之场发射装置,其中该阴极结构进一步包括装置于第一及第二阴极之绝缘层,且其中缓冲器衬垫包括一装置于基质主要表面之安定垫层,一装置于安定垫层之阴极垫层,一装置于阴极垫层之绝缘层部分,及装置于绝缘层部分之缓冲器接触垫。图式简单说明:第一图系与本发明一致之场装置第一实施态样上平面透视图第二图系沿第一图之截断线2-2之断面图第三图系沿第一图之截断线3-3之断面图第四图系沿第一图之截断线4-4之断面图第五图系与本发明一致之场发射装置第二实施态样上平面透视图第六图系沿第五图之截断线6-6之断面图第七图系沿第五图之截断线7-7之断面图第八图系与本发明一致之场发射装置第三实施态样中与第三图及第七图相似之断面图第九图系与本发明一致之场发射装置第四实施态样中与第八图相似之断面图 |
