| 摘要 |
<p>SRAM 셀은 반도체 장치내에 형성된다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터는 SRAM 셀내에 형성된다. 층간 절연막은 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터상에 형성된다. 부하 저항 도전층은 층간 절연막상에 형성된다. 또한, 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극을 부하 저항 도전층에 접속시키는 배선 도전층이 제공된다. 배선 도전층의 저항은 부하 저항 도전층의 저항보다 낮다. 측벽은 부하 저항 도전층과 배선 도전층 사이에 형성된다.</p> |
