| 主权项 |
1.一种防止金属钨插塞被腐蚀的方法,可应用在一基底上,该基底中具有一金属插塞,该基底上有图案化之一导线层,该方法包括:于一温度下,以足够硷之一电解质溶液浸泡该基底一时间;以及进行一湿式清洁步骤。2.如申请专利范围第1项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该电解质溶液的pH値大于7.5。3.如申请专利范围第1项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该电解质溶液包括氢氧化铵的水溶液。4.如申请专利范围第3项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该氢氧化铵水溶液的浓度包括0.5-3重量百分比浓度。5.如申请专利范围第1项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该电解质溶液包括金属氢氧化物的水溶液。6.如申请专利范围第5项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该金属氢氧化物的水溶液包括KOH水溶液。7.如申请专利范围第6项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该KOH水溶液的浓度约为0.5-0.0005重量百分比浓度。8.如申请专利范围第6项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该时间约为10-120秒。9.如申请专利范围第6项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该温度约为10-30℃。10.如申请专利范围第1项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该电解质溶液包括硷性盐类的水溶液。11.如申请专利范围第10项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该硷性盐类包括醋酸钠。12.如申请专利范围第10项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该硷性盐类包括碳酸钠。13.一种防止金属钨插塞被腐蚀的方法,可应用在一基底上,该基底中具有一金属插塞,该基底上有图案化之一导线层,该方法包括:于一温度下,以足够酸之一电解质溶液浸泡该基底一时间;以及进行一湿式清洁步骤。14.如申请专利范围第13项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该电解质溶液的pH値小于6.5。15.如申请专利范围第13项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该电解质溶液包括含氧酸的水溶液。16.如申请专利范围第15项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该含氧酸包括醋酸。17.如申请专利范围第15项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该含氧酸包括硫酸。18.如申请专利范围第15项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该含氧酸包括硝酸。19.如申请专利范围第13项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该电解质溶液包括氢卤酸水溶液。20.如申请专利范围第19项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该氢卤酸水溶液包括氢氟酸水溶液。21.如申请专利范围第19项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该氢卤酸水溶液包括盐酸水溶液。22.如申请专利范围第13项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该电解质溶液包括酸性盐类的水溶液。23.如申请专利范围第22项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该酸性盐类包括硫酸氢钠。24.如申请专利范围第22项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该酸性盐类包括氯化铵。25.如申请专利范围第22项所述之防止金属钨插塞被腐蚀的方法,其中该酸性盐类包括硝酸铵。图式简单说明:第1图是图案化金属导线对准在金属钨插塞之上的截面示意图;以及第2图是图案化金属导线层没对准在金属钨插塞之上的截面示意图。 |
