| 摘要 |
一种电晶体制造方法，其包含形成一以氮化物为主之通道层于一基板上，形成一阻障层于该以氮化物为主之通道层上，形成一接触凹陷于该阻障层中以曝露该以氮化物为主之通道层之一接触区域，例如采用一低温沈积处理形成一接触层于该以氮化物为主之通道层之该曝露接触区域上，形成一欧姆接触于该接触层上，以及形成置放在邻近于该欧姆接触之该阻障层上的一闸极接触。还提供一高电子移动率电晶体(HEMT)及制造一HEMT之方法。该HEMT包含一基板上的一以氮化物为主之通道层，该以氮化物为主之通道层上的一阻障层，在该阻障层中延伸至该通道层中的一接触凹陷，在该接触凹陷中于该以氮化物为主之通道层上的一n型以氮化物为主之半导体材料接触区域，该以氮化物为主之接触区域上的一欧姆接触，以及置放在邻近于该欧姆接触之该阻障层上的一闸极接触。该n型以氮化物为主之半导体材料接触区域及该以氮化物为主之通道层包含一表面区域放大结构。 |
