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반도체 디바이스 층의 에피택셜 성장이 트랜치의 구속들 내에서 진행되는 트랜치-구속 선택적 에피택셜 성장 공정. 실시예들에서, 트랜치는 트랜치의 하부에 배치되는 오염되지 않은, 평면 반도체 시딩 표면을 포함하도록 제조된다. 시딩 표면 주위의 반도체 영역들은 반도체 시딩 층을 둘러싸고 트랜치를 형성하기 위해 분리 유전체가 위에 배치되어 시딩 표면에 대해 리세싱될 수 있다. 트랜치를 형성하는 실시예들에서, 희생 하드마스크 핀은 유전체로 덮일 수 있으며, 이어서 이를 평탄화하여 하드마스크 핀을 노출시키고, 이어서, 이를 제거하여 시딩 표면을 노출시킨다. 반도체 디바이스 층은 선택적 헤테로에피택시를 통해 시딩 표면으로부터 형성된다. 실시예들에서, 비-평면 디바이스들은 분리 유전체의 상부 표면을 리세싱함으로써 반도체 디바이스 층으로부터 형성된다. 실시예들에서, 비-평면 디바이스들인, 높은 캐리어 이동도를 갖는 CMOS 디바이스들이 반도체 디바이스 층으로부터 제조될 수 있다. |
