| 主权项 |
1﹒聚合物薄膜连接体,其于第一电气元件上电导属之一图型与第二电气元件电导体之第二图型之间形成一电连接,此聚合物薄膜连接体包含有:一薄而可挠性且可自撑的介质聚合物薄胺,其有一第一表面与一相对的第二表面,该薄膜有一由电导接合材料形成之互相间隔孔塞的图型,其系由第一表面至第二表面,完全延伸过此薄膜,该接合材料形成之孔塞,系以对应一在电气元件上电导体图型之一图型而被排列在薄膜上,该接合材料形成之孔眼,系能附着至相邻于该薄膜第一表面之第一电导体图型上,且系能附着至相邻于该薄膜第二表面之该第二电导体图型上,至少有一个薄膜表面能附着至该电气元件之一的相邻非导体表面,以用来连接该第一电导体至与各自导电性材料形成之孔塞互相连接之对应的第二电导体上,藉此提供许多不连续电隔离的传导路径,其系由电导体的第一图型,通过该薄膜而至在该薄膜相对面上的第二电导体图型。2﹒依据申请专利范围第1项所述之连接体,其中该导体接合材料形成之孔塞,系藉该薄膜来支持且藉该薄膜电隔离,而且实质地填入该膜内之各别孔,俾使其直接暴露于该薄膜之该第一及第二表面。3﹒依据申请专利范围第1项所述之连接体,其中该薄膜与该孔塞系各由热活化的聚合材料制成,俾能在外部热的施加下形成接合。4﹒依据申请专利范围第1项所述之连接体,其中该接合材料形成之孔塞包含有─B级热固性树脂,其在加热下固化以接合至该电导体上。5﹒依据申请专利范围第1项所述之连接体,其中该接合材料形成之孔塞包含有一热塑性树脂,其在加热下软化且再硬化,以加强该树脂与该电导间的附着。6﹒依据申请专利范围第1项所述之连接体,其中该孔塞及该薄膜系由具热相容性的聚合物材料制成。7﹒依据申请专利范围第1项所述之连接体,其中该孔塞包括被包埋在一树脂性之接合材料内的金属粒子。8﹒依据申请专利范围第1项所述之连接体,其中热之施加系在一低于约200℉的温度下,以形成该接合材料及该电导体间的接合。9﹒一种方法,用以在第一电气元件上之电导体的第一图型与在第二电气元件上之电导体的第二图型之间,形成一电连接;该方法包含下列步骤:提供一薄而可挠性的自撑介质聚合物薄膜,其有一互相间隔之电导接合材料形成之孔塞,其系由该薄膜之第一表面延伸通过该薄膜,而至该薄膜之一相对面的第二表面上;放置该薄膜于该第及该第二电气元件间,致使导电性孔塞的图型与相邻该薄膜之该第一表面的导体第一图型对齐,且亦与相邻该薄膜之该第二表面的导体第二图型对齐以及施加外部热以致于能活化该接合材料来附着该薄至该电气元件之一的至少一个非导体表面上;以及互相连接电导体之该第一及第二图型于一范围内,该处之该导体性孔塞被定位,藉此形成许多不连续电隔离传导路径,起自电导体之该第一图型,通过该薄膜,而达在该薄膜相对面上之电导体的第二图型上。10﹒依据申请专利范围第2项所述之方法,其中该电导性接合材料的孔塞藉该薄膜来支撑,藉该薄膜电隔离,且实质地被填入该薄膜之各别孔内,使其直接暴露于该薄膜之该第一及第二表面。11﹒依据申请专利范围第4项所述之方法,其中该接合材料的孔塞,系包含─B级的热固性树脂,其于加热下固化,以接合至该电导体上。12﹒依据申请专利范围第5项所述之方法,其中该接合材料之孔塞包含有一热塑性树脂,其往加热下软化及再变化以加强于该树脂与该电导体之间的附着。13﹒依据申请专利范围第6项所述之方法,其中该薄膜与孔塞系由具热相容性的聚合物材料制成。14﹒依据申请专利范围第9项所述之方法,其包括首先附着该薄膜之一表面第一电气元件之一相邻表面上,以使该孔塞与第一导体图型对齐;其次藉该孔塞与第二电气元件上的第二导体图型对齐,及藉施热接合第二元件至该薄膜上,使能于第一及第二导体图型之间形成该被接合的连接。15﹒依据申请专利范围第9项所述之方法,其中该第一及第二元件之热接合依序地施行。16﹒依据申请专利范围第9项所述之方法,其中该第一及第二元件之热接合系同时地施行。17﹒依据申请专利范围第9项所述之方法,其中该第一元件系包含有一积体电路晶粒,以及该第二元件系包含有一引线框或展布器。18﹒依据申请专利范围第9项所述之方法,其中该第一元件系包含有一积体电路晶粒,以及该第二元件,系包含有一晶粒载件。19﹒依据申请专利范围第9项所述之方法,其中该第一元件系包含有一积体电路晶粒,载件以及一第二元件,其包含有一电路板。20﹒依据申请专利范围第9项所述之方法,其中该第一元件系包含有一展布器,及该第二元件,系包含有一电路板。21﹒依据申请专利范围第9项所述之方法,其中该第一元件系包含有一积体导路晶粒,以及该第二元件,系包含有一电路板。22﹒依据申请专利范围第9项所述之方法,其中该薄膜系包含有一中间薄膜,其位于一在该中间薄膜之第一侧面上的第一类似薄膜与一在该中间薄膜之二侧面上的第二类似薄膜之间,其中在第一薄膜内之该接合材料图型系不同于在第二薄内之该接合材料图型;其更包含以下步骤;热接合第一薄膜内之该接合材料图型至该第一电导体上,以及热接合第二薄膜内之该接合材料图型至该第二电导体上,被接合至该第一及第二薄膜内之接合材料的对应图型上之中间薄膜内之该接合材料的量,系能提供一从对应的第一电导体,经由该薄膜而至在一该薄膜之一相对面上的对应第二电导体之连续性的电气转移。23﹒一种积体电路之电连接体;其包含有:一第一电气元件,其有一电导体的第一图型;一第二电气元件,其有一电导体的第二图型;一薄且可绕性的自撑介质薄膜,其有一第一表面及一相对第二表面;该薄膜有一互相间隔的电导性合材料的图型,由该第一表面通过薄膜延伸至第二表面,该薄膜能接合到至少一个该电气元件之一非导体表面,该接合材料能附着至电导体的第一及第二图型;该接合材料的孔塞与相邻该薄膜之第一表面的第一图型及邻近该薄膜之第二表面的第二图型个别地对齐;电导体的第一及第二图型被接合至该薄膜内对应的接合材料之孔塞上,而该薄膜系被接合至该电气元件之该表面,以藉此提供一积电连接体,其包含许多不连续的电隔离传导路径,由电导体之第一图型,穿过薄膜而至位于该薄膜之相对面上的第二电导体图型上。24﹒依据申请专利范围第23项所述之连接体,其中该接合材料的孔塞系为该薄膜所支撑且藉该薄膜来电隔离,并且实质地填充该薄膜内的个别以接合至电导体之第一及第二图型。25﹒依据申请专利范围第23项所述之连接体,其中该接合材料之孔塞系包含有─B级热固性树脂,其于加热下固化以接合至该电导体上。26﹒依据申请专利范围第23项所述之连接体,其中该接合材料之孔塞系包含有一热塑性树脂,其于加热下软化且再硬化,以加强该树脂及该电导间的附着。27﹒依据申请专利范围第23项所述之连接体,其中该薄膜及孔塞系由热活化的聚合性材料所制成,用以在外部热的施加下形成一种接合。28﹒依据申请专利范围第27项所述之连接体,其中该孔塞及薄胺系由聚热相容性的聚合材料制成。29﹒依据申请专利范围第23项所述之连接体,其中第一元件系包含有一积体电路晶粒,以及该第二元件系包含有一引线框或展布器。30﹒依据申请专利范围第23项所述之连接体,其中该第一元件系包含有一积体电路晶粒,以及该第二元件系包含有一晶粒载件。31﹒依据申请专利范围第23项所述之连接体,其中该第一元件系包含有一积体晶粒载件;以及该第二元件系包含有一电路板。32﹒依据申请专利范围第23项所述之连接体,其中该第一元件系包含一引线框或展布器,以及该第二元件系包含一电路板。33﹒依据申请专利范围第23项所述之连接体,其中该第一元件系包含一积体电路晶粒,以及该第二元件系包含一电路板。34﹒依据申请专利范围第23项所述之连接体,其中该薄膜系包含一中间薄膜,其位于该中间薄膜之第一侧面上的第一相似薄膜与该中间薄膜之第二侧面上的二相似薄膜之间,又其中在第一薄膜内之该接合材料图型,系不同于在第二薄膜内之该接合材料之图型;其更包括热接合在第二薄膜内之接合材料的图型至第一电导体上,及热接合在第二薄膜内之接合材料的图型至第二电导体上之该些步骤;在中间薄膜内之该接合材料之量,系被接合至第一及第二薄膜内的接合材料的对应图型上,以在于自对应之第一电导体,经过该薄膜而至在该薄膜之一相对侧面上的对应第二电导体上,以提供一种连续的电转移。35﹒一种物件,系用以形成积体元件之间的一种车连接,其包含有:一电元件,具有其一表面上之电导体的第一图型;一薄且可挠性自撑介质聚合性薄膜,其有第一表面及一相对之第二表面;该薄膜具有一互相间隔电导性接合材料的孔塞,其中第一表面,经过薄膜延伸至其第二表面;该接合材料能够热接合至电导体之第一图型;该接合材料的孔塞与邻近该薄膜第一表面之电导体的第一图型对齐;该薄膜之第一表面,系被接合至该电元件之该表面,电导体之第一图型系被接合薄膜内接合材料之对应的孔塞上,以藉此提供许多不连续电隔离传导路经,其由电导体之第一图型,穿过该薄膜至相对于该电元件之该薄膜的第二表面,该电导孔塞藉此定位,在该热施加下,接合至第二电气元件上之电导体的第二图型上。36﹒依据申请专利范围第34项所述之连接体,其中该接合材料之孔实在塞系被该薄膜支撑,被该薄胺电隔离,并且实质地填充该薄膜内之各别孔,以便接合至该电气元件上之该电导体的图型上。37﹒依据申请专利范围第34项所述之连接体,其中该接合材料孔塞系包含有─B级热固性树脂,其于加热下固化以接合至该电导体上。38﹒依据申请专利范围第35项所述之连接体,其中该接合材料之孔塞系包含有一热塑性树脂,其于加热下软化且再硬化以加强树脂与该电导体之间的附着。图示简单说明图1系一半图式的透视图,说明依照本发明原理之一聚合物薄膜连接体。图2系一断片的图式横截面图,系切自图1线2─2。图3系一断片的半图式正视图,部份为横切面,说明利用本发明之聚合物薄膜连接技术以接合一线至一IC晶粒上的技术。图4系一断片的图式横截面图,系放大尺寸以说明电气元件与聚合物薄膜连接体的接合。图5系一图式之横截面图,说明─IC晶粒连接至晶粒载件。图6系一断片图式的横截面图,说明于引线框及IC晶粒间的双重连接。图7系一图式的横截面图,说明一IC晶粒组件对一基片的连接。图8系一断片图式的横截面,说明一引线连接至一基片上。图9系一断片图式的横截面图,说明在一IC晶粒上之电气接头的图型连接至一在基片上不同的电气接头图型。图10系一图片图式的横截面图,说明在一基片上之电导体图型连接至另一基片上之电导体图型;以及图11系一断片图示的横截面图,说明电气元件连接至一具有复杂表面图(topography)的板上。 |
