| 发明名称 |
Polysilicon thin film transistor. |
| 摘要 |
L'invention se rapporte à un procédé de production d'un transistor à couche mince de polysilicium, qui consiste à hydrogéner le transistor à couche mince et à déposer sur lui une couche à teneur en hydrogène atomique. Le transistor à couche mince ainsi produit se caractérise par des valeurs de courant de fuite basses de l'ordre de 10-13A. |
| 申请公布号 |
EP0569470(A1) |
申请公布日期 |
1993.11.18 |
| 申请号 |
EP19920904576 |
申请日期 |
1992.01.08 |
| 申请人 |
MINNESOTA MINING AND MANUFACTURING COMPANY |
发明人 |
TRAN, NANG, T.;KEYES, MICHAEL, P. |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/265;H01L21/30;H01L21/324;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/784 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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