| 主权项 |
1.一种天线用以产生电浆在一处理室之内,该天线至少包含:a)一中央线圈,定义一穿过该天线之中央通道;b)一外线圈,安置于该中央线圈上;及c)多数导体延伸于该中央线圈圈转及该外线圈圈转之间。2.如申请专利范围第1项所述之天线,其中上述之导体延伸于一中央线圈圈转及外线圈圈转间之直路径之中。3.如申请专利范围第1项所述之天线,其中上述之导体延伸于一中央线圈圈转及外线圈圈转间之弧型路径之中。4.一种处理室,用以处理基板,其至少包含:a)一室主体包含一上部及侧壁,用以定义一电浆腔及一气体入口中心对中于室之上部;及b)一上部天线安装于室主体之上部,该上部天线包含一中央线圈圈转,用以定义一中央通道于上部天线中,一外线圈圈转同心对准该中央线圈圈转,及多数电感延伸于该中央线圈圈转及该外线圈圈转之间。5.如申请专利范围第4项所述之处理室,其中上述之气体入口通过于上部天线中之中央通道。6.如申请专利范围第4项所述之处理室,其中上述之电感延伸于中央线圈圈转及外线圈圈转间之径向路径之中。7.如申请专利范围第4项所述之处理室,其中上述之电感延伸于中央线圈圈转及外线圈圈转间之一弧型路径之中。8.如申请专利范围第4项所述之处理室,更包含:c)一侧天线构建并相对定位于电浆腔中,以于操作时,产生一中空电浆密度分布于基板之上。9.如申请专利范围第8项所述之处理室,更包含:d)一RF电源产生器;及e)一RF电源分离器,连接至该RF产生器。10.一种用以处理基底之处理室,其至少包含:a)一室主体包含一上部及侧壁,用以定义一电浆腔及一气体入口对中于室之上部;及b)一上部天线安装于室主体之上部,该上部天线包含一环线圈用以定义穿过该天线之中央通道,一第一接线由该环线圈延伸,及一第二接线由环线圈延伸。11.如申请专利范围第10项所述之处理室,其中上述之气体入口通过于上部天线中之中央通道。12.如申请专利范围第10项所述之处理室,更包含:c)一侧天线构建并相对定位于电浆腔中,以于操作时,产生一中空电浆密度分布于基板之上。13.如申请专利范围第12项所述之处理室,更包含:d)一RF电源产生器;及e)一RF电源分离器,连接至该RF产生器至上部线及侧天线。14.一种用以处理基板之处理室,其至少包含:a)一室主体包含一上部及侧壁,用以定义一电浆腔及一气体入口中心对中于室之上部;b)一上部天线安装于室主体之上部,该上部天线包含一中央线圈圈转,用以定义一中央通道于上部天线中,一外线圈圈转同心对准该中央线圈圈转,及多数电感延伸于该中央线圈圈转及该外线圈圈转之间;c)一侧天线构建并相对定位于电浆腔,以于操作时,产生一中空电浆密度分布于基板之上;d)一RF电源产生器;及e)一RF电源分离器,连接至该RF产生器至上部及侧天线。15.如申请专利范围第14项所述之处理室,其中上述之电感延伸于中央线圈圈转及外线圈圈转间之径向路径之中。16.如申请专利范围第14项所述之处理室,其中上述之电感延伸于中央线圈圈转及外线圈圈转间之一弧型路径之中。17.一种用以处理基板之处理室,其至少包含:a)一室主体包含一上部及侧壁,定义一电浆腔及一气体入口中心对准于室之上部;b)一上部天线安装于室主体之上部,该上部天线包含一环线圈,定义一经过该天线之中央通道,一第一接线由环线圈延伸及一第二接线由环线圈圈转延伸;c)一侧天线构建并相对定位于电浆腔,以于操作时,产生一中空电浆密度分布于基板之上;d)一RF电源产生器;及e)一RF电源分离器,连接至该RF产生器至上部及侧天线。图式简单说明:第一图为一剖面示意图,示出使用本发明之上部天线线圈之电浆加强CVD处理系统。第二图为一示意图,示出依据本发明之上部天线线圈之一实施例,其具有一内环型线圈圈转及一同心外线圈圈转。第三图为一示意图,示出上部天线线圈之另一实施例,其具有一同心环型线圈。及第四图为一示意图,示出本发明之上部天线线圈之另一实施例,其具有单一圈。 |
