| 主权项 |
1.一种光电组件,其具有许多相邻地配置在一个共同之反射器(3)中之发光二极体晶片(5),其特征为:在二个发光二极体晶片(5)之间分别配置一个中间壁面(11)。2.如申请专利范围第1项之光电组件,其中此反射器(3)由塑胶外壳(2)中之凹口所形成。3.如申请专利范围第1项之光电组件,其中该中间壁面(11)由反射用之隔离条所形成,其特别是具有楔形之横切面。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之光电组件,其中发光二极体晶片(5)配置在接触载体(6)上,接触载体(6)在反射器(3)(或凹口)之底部上延伸。5.如申请专利范围第1至3项中任一项之光电组件,其中发光二极体晶片(5)固定在导电轨(12)上,导电轨(12)形成在反射器(3)上或形成在凹口中之外壳(2)上。6.如申请专利范围第1至3项中任一项之光电组件,其中反射器(3)以一种对发光二极体晶片(5)之光束是透明之人造树脂浇注而成。7.如申请专利范围第1至3项中任一项之光电组件,其中至少三个发光二极体晶片(5)配置在反射器(3)中,使这些发光二极体晶片(5)配置在假想之多角形之各角上,且中间壁面(11)在各发光二极体晶片(5)之间以星形方式延伸。8.如申请专利范围第1至3项中任一项之光电组件,其中每二个发光二极体晶片(5)之间分别具有0.5mm至1mm之间距,特别是0.8mm,这些间距分别由发光二极体晶片(5)之中央开始测量。9.如申请专利范围第1至3项中任一项之光电组件,其中该中间壁面(11)之高度较发光二极体晶片(5)之高度多出25%,特别是10%。10.如申请专利范围第7项之光电组件,其中该中间壁面(11)之高度较发光二极体晶片(5)之高度多出25%,特别是10%。11.如申请专利范围第2或3项之光电组件,其中该中间壁面(11)在二个发光二极体晶片(5)之间形成在塑胶外壳(2)上。图式简单说明:第1图 可设有许多发光二极体晶片之此种组件之俯视图。第2图 沿着第1图之切线1I-II之横切面。第3图 此种组件之另一种实施例之横切面。 |
