Buried electric wiring line substrate method of forming the same semiconductor device and method of manufacturing the same

摘要

도전막 매립형 기판을 형성하기 위하여, 단결정 반도체 기판의 제1 표면 아래에 수소 이온 주입층을 형성한다. 상기 단결정 반도체 기판 상에 도전막을 형성한다. 상기 도전막의 상부 표면에 실리콘 산화막을 형성한다. 상기 실리콘 산화막과 지지 기판을 접합시켜 예비 도전막 매립형 기판을 형성한다. 상기 이온 주입층을 따라 단결정 반도체 기판을 분리한다. 상기 공정을 통해 형성된 도전막 매립형 기판을 이용하여 우수한 성능의 소자를 제조할 수 있다.