| 主权项 |
1.一种对一非挥发性记忆体执行多次取代写入之方法,包含下列各步骤:在一非挥发性记忆单元的第一位准下储存一第一位元;以及在该非挥发性记忆单元的第二位准下储存一第二位元。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该非挥发性记忆单元是一多位准记忆单元。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该非挥发性记忆单元是一快闪记忆单元。4.根据申请专利范围第1项之方法,又包含下列步骤:在该储存第二位元的步骤之前,先将该第一位准烧录到一第一値。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中该非挥发性记忆单元是一多位准记忆单元。6.根据申请专利范围第4项之方法,其中该非挥发性记忆单元是一快闪记忆单元。7.一种对一非挥发性记忆单元执行多次取代写入之方法,包含下列各步骤:在一n个位准的多位准记忆单元之第一位准下储存一第一位元;将一位准指示器设定为该第一位准;在该多位准记忆单元之第二位准下储存一第二后续位元;以及将该位准指示器设定为该第二位准。8.根据申请专利范围第7项之方法,其中该非挥发性记忆单元是一多位准记忆单元。9.根据申请专利范围第7项之方法,其中该非挥发性记忆单元是一快闪记忆单元。10.根据申请专利范围第7项之方法,又包含下列步骤:在该储存第二后续位元的步骤之前,先将该第一位准烧录到一第一値。11.根据申请专利范围第10项之方法,其中该非挥发性记忆单元是一多位准记忆单元。12.根据申请专利范围第10项之方法,其中该非挥发性记忆单元是一快闪记忆单元。13.一种读取一非挥发性记忆单元之方法,包含下列各步骤:检索一位准指示器;以及以该位准指示器所指示的一位准感测该记忆单元,以便决定该记忆单元之状态。14.根据申请专利范围第13项之方法,其中该非挥发性记忆单元是一多位准记忆单元。15.根据申请专利范围第13项之方法,其中该非挥发性记忆单元是一快闪记忆单元。16.一种抹除一非挥发性记忆单元之方法,包含下列各步骤:递增一位准指示器,其中该位准指示器指示将要写入该非挥发性记忆单元之次一位准。17.根据申请专利范围第16项之方法,其中该非挥发性记忆单元是一多位准记忆单元。18.根据申请专利范围第16项之方法,其中该非挥发性记忆单元是一快闪记忆单元。19.根据申请专利范围第16项之方法,又包含下列步骤:在该递增位准指示器的步骤之前,先在一现有位准下烧录一第一値。20.根据申请专利范围第19项之方法,其中该非挥发性记忆单元是一多位准记忆单元。21.根据申请专利范围第19项之方法,其中该非挥发性记忆单元是一快闪记忆单元。图式简单说明:第一图示出一区段的多位准记忆单元之一抹除状态实施例。第二图示出在一区段的多位准记忆单元内烧录一位准。第三图示出在一区段的多位准记忆单元内烧录另一位准。第四图示出利用〝回填〞技术对多位准记忆单元烧录一位准。 |
