| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离结构的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,其中具有一沟渠;形成一衬氧化层于暴露于该沟渠中之该基底表面上;去除位于该沟渠底部之该衬氧化层,而保留位于该沟渠侧壁之该衬氧化层;形成一多晶矽插塞部分填充该沟渠;形成一阻挡层覆盖该多晶矽插塞与该基底;形成一介电层于该阻挡层上并填满该沟渠;以及去除位于该基底上以及该沟渠以外之该介电层与该阻挡层,以形成一浅沟渠隔离结构。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该衬氧化层比如以热氧化法形成。3.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中去除位于该沟渠底部之该衬氧化层之步骤系以反应性离子蚀刻法进行。4.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中去除部分该多晶矽层以形成该多晶矽插塞之方法包括湿蚀刻与乾蚀刻其中之一。5.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该阻挡层之材质包括氮化矽。6.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该阻挡层之厚度为30-100。7.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中去除位于该基底上以及该沟渠以外之该介电层之步骤系以化学机械研磨法进行。8.一种浅沟渠隔离的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;依序形成一垫氧化层与一罩幕层于该基底上;去除部分该罩幕层、该垫氧化层与该基底,以形成一沟渠;去除部分暴露于该沟渠中之该垫氧化层,以使剩余之该垫氧化层与该罩幕层及该基底呈现一凹陷;形成一衬氧化层覆盖于暴露在该沟渠中的该基底上;去除位于该沟渠底部之该衬氧化层,以暴露出该基底;形成一多晶矽层覆盖该罩幕层以及部分填入该沟渠中;去除位于该罩幕层上之该多晶矽层,以形成一多晶矽插塞填充于该沟渠底部;形成一氮化矽层覆盖该多晶矽插塞与该罩幕层;形成一介电层于该氮化矽层上并填入该沟渠中;去除位于该垫氧化层上之该介电层、该氮化矽层与该罩幕层,以形成一浅沟渠隔离结构。9.如申请专利范围第8项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该衬氧化层比如以热氧化法形成。10.如申请专利范围第8项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中去除位于该沟渠底部之该衬氧化层之步骤系以反应性离子蚀刻法进行。11.如申请专利范围第8项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中去除部分该多晶矽层以形成该多晶矽插塞之方法包括湿蚀刻与乾蚀刻其中之一。12.如申请专利范围第8项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该氮化矽层之厚度为30-100。13.如申请专利范围第8项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中去除位于该基底上以及该沟渠以外之该介电层之步骤系以化学机械研磨法进行。图式简单说明:第1A图至第1C图绘示为传统的一种浅沟渠隔离制程的制造流程剖面示意图;以及第2A图至第2F绘示依照本发明一较佳实施例的一种浅沟渠隔离的制造流程剖面图。 |
