发明名称 OXIDATION OF METALLIC FILMS
摘要 금속성 막의 수용성 산화에 대한 방법이 설명된다. 예컨대, 실리콘 기판 상의 하프늄 금속의 막은 뜨거운 탈염수를 이용하여 하프늄 이산화물로 산화될 수 있다. 산화된 금속성 막을 이용하여 커패시터 및 전계 효과 트랜지스터와 같은 전기 컴포넌트를 제조하기 위한 방법이 또한 설명된다. 예컨대, 하프늄 이산화물 유전체 층을 가지는 커패시터가 제조될 수 있다.
申请公布号 KR101686498(B1) 申请公布日期 2016.12.14
申请号 KR20147017353 申请日期 2011.11.24
申请人 유니버시티 오브 매니토바 发明人 민코, 옥센스;부차난, 더글라스 에이.
分类号 C01G27/02;B32B18/00;H01B3/10;H01B19/04;H01G4/10;H01L21/02;H01L21/335;H01L21/336;H01L49/02 主分类号 C01G27/02
代理机构 代理人
主权项
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