| 发明名称 | 半导体器件、FINFET器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体器件、FinFET器件及其形成方法。一种半导体器件包括衬底和位于衬底上方的栅极。此外，该栅极包括第一部分、位于第一部分上面的第二部分和位于第二部分上面的第三部分，并且第二部分的临界尺寸小于第一部分的临界尺寸和第三部分的临界尺寸的每个。 | ||
| 申请公布号 | CN106560931A | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
| 申请号 | CN201610652891.8 | 申请日期 | 2016.08.11 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 萧茹雄;吴启明 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；以及栅极，位于所述衬底上方，其中，所述栅极包括第一部分，位于所述第一部分上面的第二部分和位于所述第二部分上面的第三部分，并且所述第二部分的临界尺寸小于所述第一部分的临界尺寸和所述第三部分的临界尺寸的每个。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||