| 发明名称 | 一种光电磁三功能带状同轴纳米电缆阵列及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种光电磁三功能带状同轴纳米电缆阵列及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明包括五个步骤：(1)沉淀法制备油酸包覆的Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>纳米晶；(2)沉淀法制备Tb(BA)<sub>3</sub>phen配合物；(3)制备聚甲基丙烯酸甲酯；(4)配制纺丝液；(5)制备[Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>/PANI/PMMA]@[Tb(BA)<sub>3</sub>phen/PMMA]光电磁三功能带状同轴纳米电缆阵列，采用同轴静电纺丝技术制备。所制备的带状同轴纳米电缆阵列具有良好的发光、导电和磁性，带状同轴纳米电缆的宽度为10μm，厚度小于1μm，长度大于500μm。本发明的方法简单易行，可以批量生产，这种新型的纳米结构材料具有广阔的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN104538121B | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
| 申请号 | CN201410707446.8 | 申请日期 | 2014.11.27 |
| 申请人 | 长春理工大学 | 发明人 | 董相廷;马千里;王昕璐;于文生;王进贤;王婷婷;于辉;刘桂霞 |
| 分类号 | H01B13/016(2006.01)I;D01F6/52(2006.01)I;D01F1/10(2006.01)I;D01D1/02(2006.01)I;D01D5/34(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I | 主分类号 | H01B13/016(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种[Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>/PANI/PMMA]@[Tb(BA)<sub>3</sub>phen/PMMA]光电磁三功能带状同轴纳米电缆阵列，其特征在于，带状同轴纳米电缆呈现阵列结构，具有发光、导电和磁性三种功能，电、磁功能在电缆的核层，光学性能在电缆的壳层，带状同轴纳米电缆的宽度为10μm，厚度小于1μm，长度大于500μm。 | ||
| 地址 | 130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号 | ||