| 发明名称 | 通过纳米晶体横向生长制造胶体纳米片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及通过结晶半导体材料在初始胶体纳米晶体上横向生长制造胶体纳米片的方法，所述结晶半导体材料由式M<sub>n</sub>X<sub>y</sub>表示，其中M是过渡金属，而X为氧族元素。所述方法包括以下步骤：用作合成溶剂且包含至少一初始胶体纳米晶体的非配位或几乎非配位的第一有机溶液的制备；包含M和X的前体且还包含乙酸盐的第二有机溶液的制备，以及在纳米片生长的预定温度下在预定的时间范围内在预定量的第一溶液中缓慢引入预定量的第二溶液。本发明还提供所获得的材料的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN103415655B | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
| 申请号 | CN201180058966.5 | 申请日期 | 2011.10.24 |
| 申请人 | 奈科斯多特股份公司 | 发明人 | 贝努瓦·马勒;桑德里尼·伊苏里亚 |
| 分类号 | C30B7/08(2006.01)I;C30B29/48(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I | 主分类号 | C30B7/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人 | 陈建芳;阎娬斌 |
| 主权项 | 胶体纳米片，其包含由不同结晶半导体材料横向而不是在厚度方向扩展的一初始胶体纳米晶体，所述结晶半导体材料由式M<sub>n</sub>X<sub>y</sub>表示，其中M是过渡金属，而X为氧族元素，其中所述初始胶体纳米晶体由CdO、CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe或它们的合金制成，其中所述结晶半导体材料M<sub>n</sub>X<sub>y</sub>是选自以下的化合物：CdO、CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe或它们的合金，并且其中所述初始胶体纳米晶体是胶体纳米片。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||