| 发明名称 | 从微观结构选择性地蚀刻金属层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及蚀刻微观结构的金属层的一部分的方法，该微观结构由设置在透明导电氧化物(TCO)层上的金属层构成，并且具体地涉及选择性地蚀刻金属层的部分并且不蚀刻TCO层。 | ||
| 申请公布号 | CN106537300A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201580016330.2 | 申请日期 | 2015.01.30 |
| 申请人 | 3M创新有限公司 | 发明人 | 穆图·塞巴斯蒂安 |
| 分类号 | G06F3/041(2006.01)I | 主分类号 | G06F3/041(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 王静;丁业平 |
| 主权项 | 一种选择性地蚀刻微观结构的金属层的一部分的方法，其中所述微观结构由设置在透明导电氧化物(TCO)层上的所述金属层构成，所述方法包括使所述微观结构与蚀刻剂制剂接触，所述蚀刻剂制剂包含卤化铜与胺和/或铵化合物的溶液的混合物。 | ||
| 地址 | 美国明尼苏达州 | ||