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Halbleiterbauelement, das Folgendes umfasst: ein Halbleitersubstrat (100); eine erste Region (110) aus III-V-Halbleitermaterial auf dem Halbleitersubstrat (100); eine zweite Region (120) aus III-V-Halbleitermaterial auf der ersten Region (110), wobei die zweite Region (120) durch die erste Region (110) von dem Halbleitersubstrat (100) beabstandet ist, wobei die zweite Region (120) eine andere Zusammensetzung hat als die erste Region (110); und einen vergrabenen Kontakt (150), der sich von dem Halbleitersubstrat (100) durch die erste Region (110) zu der zweiten Region (120) erstreckt, wobei der vergrabene Kontakt (150) die zweite Region (120) elektrisch mit dem Halbleitersubstrat (100) verbindet und eine erste Seite (152) aufweist, die das Halbleitersubstrat (100) berührt, und eine zweite, gegenüberliegende Seite (154) aufweist, die die zweite Region (120) berührt, wobei das Halbleiterbauelement des Weiteren ein dielektrisches Material (180) umfasst, das sich von der zweiten Seite (154) des vergrabenen Kontakts (150) in Richtung einer Seite der zweiten Region (120) erstreckt, die von der ersten Region (110) fort weist. |
