| 发明名称 |
ＳＧＴを有する半導体装置の製造方法 |
| 摘要 |
ＳＧＴを有する半導体装置の製造方法は、Ｓｉ柱（Ｈ３、Ｈ４、Ｈ５）の外周に、Ｓｉ柱の外側方向に向けてゲート絶縁層（３４ａ、３４ｂ、３４ｃ）と、ゲート導電層（３２ａ、３２ｂ、３２ｃ）と、酸化層（３５ａ、３５ｂ、３５ｃ）を形成する。酸化層に接触するように、かつＳｉ柱の中間部位に、水分を含むフッ化水素イオン拡散層（３７）を形成する。このフッ化水素イオン拡散層に供給されたフッ化水素ガスから生じたフッ化水素イオンによって、フッ化水素イオン拡散層に接触する酸化膜の一部をエッチングすることにより、Ｓｉ柱の外周に開口部を形成する。 |
| 申请公布号 |
JPWO2014184933(A1) |
申请公布日期 |
2017.02.23 |
| 申请号 |
JP20140520855 |
申请日期 |
2013.05.16 |
| 申请人 |
ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． |
发明人 |
舛岡 富士雄;原田 望 |
| 分类号 |
H01L21/8244;H01L21/3065;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092;H01L27/11 |
主分类号 |
H01L21/8244 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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