| 发明名称 | 复合型半导体装置 | ||
| 摘要 | 复合型半导体装置(1)包括在第一端子和第二端子(17、19)之间彼此串联连接的常导通型的第一FET(11)和常截止型的第二FET(12)。复合型半导体装置(1)还包括保护电路，该保护电路包括：与第二FET并联连接的放电用开关元件(16)；和配置在第一端子和第二端子(17、19)之间，用于在第一端子被施加浪涌时使放电用开关元件导通的触发电路。 | ||
| 申请公布号 | CN106464245A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201580026393.6 | 申请日期 | 2015.02.12 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 矶部雅哉 |
| 分类号 | H03K17/16(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H03K17/10(2006.01)I;H03K17/687(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳;池兵 |
| 主权项 | 一种复合型半导体装置，其包括在第一端子和第二端子之间彼此串联连接的常导通型的第一FET和常截止型的第二FET，所述复合型半导体装置的特征在于：设置有保护电路，该保护电路包括：与所述第二FET并联连接的放电用开关元件；和配置在所述第一端子和所述第二端子之间，用于在所述第一端子被施加浪涌时使所述放电用开关元件导通的触发电路。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||