发明名称 增加光刻对准的栅极分离方法
摘要 本发明公开了一种增加光刻对准的栅极分离方法,其包括:在鳍式场效晶体管中鳍顶端设置一保护层,并在设置保护层的鳍上设置有栅极层,并在所述栅极层上表面设置一牺牲层;对所述栅极层上表面设置的牺牲层进行化学机械研磨,并停止于所述鳍的顶端;在化学机械研磨后的牺牲层和栅极层的上表面形成一多晶硅层,并有选择地在栅极层中一栅极对应位置处的多晶硅层上表面形成一光阻;通过刻蚀工艺刻蚀掉所述光阻,并停止于对应位置处的多晶硅层;以及刻蚀掉所述栅极层中另一栅极上的多晶硅层,以裸露所述栅极层中另一栅极;以及去除所述栅极层之上剩余的牺牲层。本发明降低了自对准的难度。
申请公布号 CN103972103B 申请公布日期 2017.01.18
申请号 CN201410174488.X 申请日期 2014.04.28
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 鲍宇
分类号 H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I 主分类号 H01L21/336(2006.01)I
代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人 吴世华;林彦之
主权项 一种增加光刻对准的栅极分离方法,其特征在于,包括:在鳍式场效晶体管中鳍顶端设置一保护层,并在设置保护层的鳍上设置有栅极层,并在所述栅极层上表面设置一牺牲层;对所述栅极层上表面设置的牺牲层进行化学机械研磨,并停止于所述鳍的顶端;在化学机械研磨后的牺牲层和栅极层的上表面形成一多晶硅层,并有选择地在栅极层中一栅极对应位置处的多晶硅层上表面形成一光阻;通过刻蚀工艺刻蚀掉所述光阻,并停止于对应位置处的多晶硅层;以及刻蚀掉所述栅极层中另一栅极上的多晶硅层,以裸露所述栅极层中另一栅极;去除所述栅极层之上剩余的牺牲层。
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号