| 摘要 |
【要約書】タンタルスパッタリングターゲットのスパッタ面において、平均結晶粒径が５０μｍ以上１５０μｍ以下であり、かつ結晶粒径のばらつきが３０μｍ以下であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。タンタルスパッタリングターゲットのスパッタ面において、（２００）面の配向率が７０％を超え、かつ、（２２２）面の配向率が３０％以下であり、平均結晶粒径が５０μｍ以上１５０μｍ以下であり、かつ結晶粒径のばらつきが３０μｍ以下であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。ターゲットの結晶粒径又は結晶粒径と結晶配向を制御することにより、タンタルスパッタリングターゲットの放電電圧を低くしてプラズマを発生し易くすると共に、成膜中の電圧のふらつきを抑制する効果を有する。【選択図】なし |
