一种准单晶硅锭生长方法

摘要

本发明公开了一种准单晶硅锭生长方法，包括如下步骤：a)在石英坩埚内将多晶硅料加热熔化形成硅熔液；b)对籽晶预热后，将籽晶由上向下移动浸入硅熔液内；c)控制籽晶的旋转速度并缓慢提升籽晶，从籽晶和硅熔液的接触面向下及四周生长形成准单晶锭；d）当准单晶锭的生长比重达到预设阈值时，结束晶体生长，降温至退火温度，冷却出炉。本发明提供的准单晶硅锭生长方法，将籽晶由上向下浸入硅熔液内，通过控制籽晶的旋转和向上提升，使得准单晶锭在生长时与石英坩埚壁之间存在液态硅，有效避免准单晶硅锭与坩埚壁直接接触，从而具有单晶率高，位错率低的优点；且无坩埚接触污染，无需去除边皮层。

主权项

一种准单晶硅锭生长方法，其特征在于，包括如下步骤：a)在石英坩埚内将多晶硅料加热熔化形成硅熔液；b)对籽晶预热后，将籽晶由上向下移动浸入硅熔液内；c)控制籽晶的旋转速度并缓慢提升籽晶，从籽晶和硅熔液的接触面向下及四周生长形成准单晶锭；所述籽晶的旋转速度范围为0.5～2转/分，所述籽晶的提升高度为1～5cm，且生长形成的准单晶锭顶部的高度不高于石英坩埚侧壁的高度；d)当准单晶锭的生长比重达到预设阈值时，结束晶体生长，降温至退火温度，冷却出炉。