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一种用于处理半导体衬底的半导体衬底处理装置，其包括在杆的下表面和支撑所述杆的适配器的上表面之间具有最小安装区的高温衬底基座模块，所述半导体衬底处理装置包括：真空室，其包括半导体衬底能在其中被处理的处理区域；喷头模块，工艺气体通过该喷头模块从工艺气体源供给到所述真空室的所述处理区域；以及所述衬底基座模块，其包括：台板，其具有构造成在处理期间支承半导体衬底在其上的上表面；所述杆，其由陶瓷材料制成，所述杆具有限定所述杆的圆柱形内部区域的侧壁、下表面以及支撑所述台板的上端；和适配器，其具有限定所述适配器的圆柱形内部区域的侧壁和连接到所述杆的下表面的上表面，所述杆的下表面包括至少一个气体入口，所述至少一个气体入口与位于所述杆的侧壁中的相应的气体通道流体连通，所述至少一个气体入口与位于所述适配器的上表面的环形气体通道中的至少一个气体出口流体连通，所述适配器的上表面包括位于所述至少一个气体出口径向内侧的内槽和位于所述内槽的径向外侧的外槽，所述内槽具有在其内的内O形环，以便在处理期间在所述适配器的圆柱形内部区域和所述至少一个气体出口之间形成内真空密封，并且所述外槽在其内具有外O形环，以便在处理期间在围绕所述适配器的侧壁的区域和所述至少一个气体出口之间形成外真空密封；其中，所述台板包括与所述杆的侧壁中的相应的气体通道流体连通的至少一个台板气体通道，当在处理期间半导体衬底支承在所述台板的上表面上时，背部气体能通过所述杆的侧壁中的相应的气体通道被供给至所述半导体衬底下方的区域。 |
