| 发明名称 | 一种PMOS器件结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种PMOS器件结构，包括位于硅衬底上的栅极、位于硅衬底中的栅极两侧的源漏区以及栅极下方的第一N阱，所述第一N阱四周依次围有P阱、第二N阱，所述第一N阱、P阱和第二N阱下方相连设有第三N阱；本发明通过在PMOS器件结构上增加包围PMOS的P阱结构，以及增加包围P阱的第二N阱和深N阱结构，将PMOS与衬底隔离开来，可减小衬底噪声对PMOS器件的影响，从而具有较好的噪声特性，在射频微波毫米波应用中有较好的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN106024903A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201610601005.9 | 申请日期 | 2016.07.27 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 | 发明人 | 王全;刘林林;庄翔;周伟 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;陈慧弘 |
| 主权项 | 一种PMOS器件结构，其特征在于，包括位于硅衬底上的栅极、位于硅衬底中的栅极两侧的源漏区以及栅极下方的第一N阱，所述第一N阱四周依次围有P阱、第二N阱，所述第一N阱、P阱和第二N阱下方相连设有第三N阱，以将所述PMOS器件与硅衬底隔离。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||