一种低电耗、快速合成SiC粉料的方法

摘要

本发明提供一种低电耗、快速合成SiC粉料的方法，该方法通过Si粉比例提高、SiO₂的加入，防止多余C粉存在，SiO₂反应发生后，大量热量产生，随着CO放出，带着热量促进Si+C粉的反应，促进自蔓延，节约了大量的电量，使反应快速进行，采用压制柱状块的模式，减少了粉料与坩埚侧壁的反应。

主权项

一种低电耗、快速合成SiC粉料的方法，包括步骤如下：(1)按Si粉与C粉的摩尔比例为1.03～1.08:1取半导体级别的Si粉和C粉，然后加入高纯SiO₂粉；SiO₂粉的加入量为Si粉和C粉总质量的1‑6％；(2)将步骤(1)中的粉料均匀混合，通过等静压压制，形成圆柱块；(3)将圆柱块置于真空中，通入保护气体，且保证气压稳定，快速加热至1200‑1400℃进行反应，监控到反应器内气压起伏时，停止加热，反应完成，即得SiC粉料。