晶体管的制造方法

摘要

一种晶体管的制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成高K介质层；在高K介质层上形成具有第一功函数的帽层；在帽层上形成具有第二功函数的金属材料；通过热退火使所述金属材料向所述帽层扩散，形成功函数金属层；在功函数金属层上形成金属电极层。本发明通过热退火使所述金属材料向所述帽层扩散，形成功函数金属层，可以通过调节金属材料和帽层的厚度，或者通过调节热退火的工艺条件，获得功函数可调节的功函数金属层。

主权项

一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括NMOS区域；在衬底上形成高K介质层；在高K介质层上沉积多晶硅层；图形化所述多晶硅层和高K介质层，形成位于NMOS区域的第一多层结构；形成包围所述第一多层结构的侧墙；在第一多层结构、侧墙露出的衬底上形成层间介质层；去除第一多层结构中的多晶硅层，形成由侧墙、高K介质层围成的凹槽；形成保型覆盖所述凹槽的具有第一功函数的帽层，在NMOS区域上形成的所述帽层的材料为氮化钛，所述帽层的厚度在的范围内；在帽层上保型覆盖具有第二功函数的金属材料，在NMOS区域上形成的金属材料为铝，所述金属材料的厚度在的范围内；通过热退火使所述金属材料向所述帽层扩散，形成NMOS功函数金属层，所述功函数金属层为氮铝化钛；在功函数金属层上形成用作NMOS栅电极的金属电极层。