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经营范围
发明名称
ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体装置およびその製造方法
摘要
申请公布号
JP5904033(B2)
申请公布日期
2016.04.13
申请号
JP20120144525
申请日期
2012.06.27
申请人
豊田合成株式会社
发明人
村上 倫章;岡 徹
分类号
H01L21/28
主分类号
H01L21/28
代理机构
代理人
主权项
地址
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