Method for producing transparent amorphous layer of indium gallium zinc oxide semiconductor (IGZO) with developed surface

摘要

Sposób wytwarzania przezroczystej amorficznej warstwy półprzewodnika tlenkowego indowo-galowo-cynkowego (IGZO) o rozwiniętej powierzchni według wynalazku realizowany jest za pomocą reaktywnego rozpylania katodowego. W sposobie tym, najpierw podłoże pokrywa się warstwą emulsji światłoczułej o grubości ? 500 nm i wygrzewa się w temperaturze 80 - 100°C, przez co najmniej 3 minuty. Następnie podłoże to umieszcza się w komorze urządzenia do rozpylania katodowego w odległości 4 ± 2 cm od targetu InGaZnO4, i prowadzi się osadzanie w atmosferze argonu i tlenu. Po zakończeniu osadzania usuwa się emulsję światłoczułą w rozpuszczalniku organicznym.