发明名称 | 一种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚及其制造方法,所述框架引脚在框架背面,其上有凹槽,所述凹槽处有锡膏,该方法采用化学蚀刻的方法替代第一次切割分离,避免了物理切割引脚受力的问题,降低引脚根部分层风险,也解决了切割后引起的毛刺,导致短路的问题,具有蚀刻精度高、定位准的优点。 | ||
申请公布号 | CN105470231A | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
申请号 | CN201510990730.5 | 申请日期 | 2015.12.25 |
申请人 | 华天科技(西安)有限公司 | 发明人 | 李万霞;郭玲芝;吕海兰;冯后清 |
分类号 | H01L23/495(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/495(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚,其特征在于,所述框架引脚(4)在框架背面,其上有凹槽(5),所述凹槽(5)处有锡膏(6)。 | ||
地址 | 710065 陕西省西安市经济技术开发区凤城五路105号 |