高产率循环磊晶沈积与蚀刻方法

摘要

重覆沈积与选择性蚀刻制程之选择性形成留下高品质磊晶材料的方法。在沈积制程期间，提供惰性载体气体与含矽源且无氢载体气体。在沈积含矽材料之后，提供惰性载体气体与选择性蚀刻所沈积材料的蚀刻剂且无氢气。沈积以及蚀刻制程可重复，直至达成含矽材料之所要厚度。利用所述的制程，可能提供保持温度与压力条件以及惰性载体气体的流动速率，以增加产率。惰性流动可为恒定，或者蚀刻速率可藉由减少对于循环之蚀刻阶段的惰性流动而增加。

主权项

一种在单晶半导体表面上选择性形成含矽材料之方法，包括：提供基板，所述基板包括绝缘表面以及单晶半导体表面；藉由流动含矽源蒸气以及惰性载体气体且不需流动H2，在所述基板的所述绝缘表面以及所述单晶半导体表面上沈积含矽材料；藉由流动蚀刻剂且同时保持所述惰性载体气体的持续流动而不需流动H2，自所述绝缘表面上选择性移除所述含矽材料；以及循环沈积以及选择性移除两或多次，直至在所述单晶半导体表面上达成所述含矽材料的所要厚度，其中在循环期间所述惰性载体气体持续流动而无H2。