发明名称 包含用以降低热应力之双重缓冲层之静电夹头
摘要 在一种静电夹头及其制造方法中,静电夹头包含:一本体,具有一穿孔;一基底平板,具有对应至本体之穿孔之一插入部,以及安置于基底平板之内部并经由插入部局部露出之一电极;一端子单元,具有经由穿孔与插入部而与电极接触之一端子,以及使本体与端子绝缘之一插入构件;一第一缓冲层,配置于在本体与绝缘构件之间的一第一边界区域用以吸收热应力;以及一第二缓冲层,配置于在基底平板与绝缘构件之间的一第二边界区域用以避免龟裂成长。因此,热应力系被吸收至第一缓冲层,而龟裂成长系藉由第二缓冲层而得以避免。
申请公布号 TWI379380 申请公布日期 2012.12.11
申请号 TW098130088 申请日期 2009.09.07
申请人 高美科股份有限公司 发明人 崔镇植;崔正德
分类号 H01L21/683 主分类号 H01L21/683
代理机构 代理人 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2
主权项 一种静电夹头,包含:一本体,具有一穿孔;一基底平板,配置于该本体上,其中一基板系藉由一静电力而固定至该基底平板,该基底平板具有对应至该本体之该穿孔之一插入部,以及安置于该基底平板之内部并经由该插入部局部露出之一电极;一端子单元,具有经由该本体之该穿孔与该基底平板之该插入部而与该电极接触之一端子,以及使该本体与该端子彼此电气绝缘之一插入构件;一第一缓冲层,配置于在该本体与该绝缘构件之间的一第一边界区域,该第一缓冲层吸收该本体之热应力;以及一第二缓冲层,配置于在该基底平板与该绝缘构件之间的一第二边界区域,该第二缓冲层避免龟裂成长至该基底平板。如申请专利范围第1项所述之静电夹头,其中该第一缓冲层系更进一步被配置于在该基底平板与该绝缘构件之间的该第二边界区域。如申请专利范围第1项所述之静电夹头,其中该第一与该第二缓冲层包含一种基于陶瓷材料之材料。如申请专利范围第1项所述之静电夹头,其中该第一与该第二缓冲层分别具有大约100μm至大约250μm之厚度。如申请专利范围第1项所述之静电夹头,其中该第一缓冲层具有大约0.1μm至大约2μm之表面粗糙度,而该第二缓冲层具有大约3μm至大约7μm之表面粗糙度。如申请专利范围第3项所述之静电夹头,其中该第一与第二缓冲层之孔隙率系分别等于或高于该基底平板之孔隙率。如申请专利范围第6项所述之静电夹头,其中该第一与第二缓冲层之孔隙率系分别在大约2%至大约10%之范围内。一种静电夹头之制造方法,包含以下步骤:制备具有一穿孔之一本体;提供一端子单元,其对应于该穿孔并于其之一表面少具有用以吸收该本体之热应力之一第一缓冲层;结合该本体与该端子单元,以使该端子单元贯穿该穿孔并凸出该本体之一上表面;形成一第二缓冲层横越过该本体之一部分以及该第一缓冲层之一部分;形成一下基底平板于该本体与该第二缓冲层上,以使该端子之一上表面露出;形成一电极于该下基底平板上,以使该电极与该露出端子单元接触;以及形成一上基底平板于该下基底平板与该电极上。如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该第一与该第二缓冲层系分别藉由一大气所致的电浆喷洒(APS)涂布制程而形成。
地址 南韩