半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括提供一基板，其具有一第一元件区、一第二元件区和一电容区；于上述第二元件区中形成一图案化第一氧化层；全面性形成一第二氧化层；分别于上述第一元件区、上述第二元件区和上述电容区中的上述第二氧化层上形成复数个图案化第一导电层和复数个图案化介电层；于上述电容区中形成一图案化第二导电层和被上述图案化第二导电层覆盖的一图案化第三氧化层，其中位于上述电容区的上述图案化第一导电层和上述图案化第二导电层分别作为一电容器的一下电极和一上电极。