| 发明名称 | 使用氯化钨前体制备钨和氮化钨薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及使用氯化钨前体制备钨和氮化钨薄膜的方法，提供了用于使用诸如氯化钨之类的无氟钨前体形成钨膜的方法。方法涉及通过将衬底暴露于诸如乙硼烷(B<sub>2</sub>H<sub>6</sub>)之类的还原剂以及将该衬底暴露于氯化钨来沉积钨成核层，接着通过将该衬底暴露于氯化钨和还原剂来沉积体钨。方法还涉及稀释该还原剂以及将该衬底暴露于脉冲形式的无氟前体以沉积钨成核层。所沉积的膜表现出良好的阶梯覆盖和塞填。 | ||
| 申请公布号 | CN105097446A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510236179.5 | 申请日期 | 2015.05.11 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 汉娜·班诺乐克;拉什纳·胡马雍;高举文;迈克尔·达内克;约瑟亚·科林斯 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 樊英如;李献忠 |
| 主权项 | 一种在衬底上沉积钨的方法，所述方法包括：将所述衬底暴露于还原剂和氢，以及将所述衬底暴露于氯化钨以沉积所述钨，其中氢的流率与还原剂的流率之比在约10:1和约100:1之间。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||