发明名称 |
一种驻极体电容式超声传感器及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种驻极体电容式超声传感器,包括低阻衬底、驻极体材料层、绝缘层、支撑层、振动薄膜、上电极。其中,在支撑层中形成圆形或其他形状空腔二维阵列,成排、列对齐分布;在振动薄膜上沉积金属作为上电极,该上电极为图形阵列,并且与衬底空腔阵列的图形一一对应分布,彼此连接在一起。本发明利用驻极体材料提供CMUT正常工作时需要的直流电场,实现无需外加直流偏置电压的新型电容式超声传感器结构,具有低功耗、微型化、可靠性高、安全性好等优点。 |
申请公布号 |
CN105025423A |
申请公布日期 |
2015.11.04 |
申请号 |
CN201510301076.2 |
申请日期 |
2015.06.04 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
王小青;宁瑾;徐团伟;俞育德;魏清泉;刘文文;蒋莉娟 |
分类号 |
H04R19/01(2006.01)I;H04R31/00(2006.01)I |
主分类号 |
H04R19/01(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
宋焰琴 |
主权项 |
一种驻极体电容式超声传感器,包括驻极体材料层、支撑层、振膜和上电极,所述支撑层位于所述驻极体材料层之上,所述上电极为在所述振膜上沉积导电材料形成的图形阵列,其特征在于,在所述支撑层中形成二维空腔阵列结构,在所述二维空腔阵列结构之上由SOI外延片通过键合技术形成所述振膜。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |