Method of pretreating underlayer and method of fabricating thin film using the same
摘要
<p>본 발명은 하부막 전처리 방법 및 이를 이용한 박막 형성 방법에 관한 것으로, 하부막이 형성된 기판을 준비하는 것, 상기 하부막 상에 유기 실란 화합물층을 형성하는 것 및 어닐링 공정을 수행하여 상기 유기 실란 화합물층으로부터 실리콘 단원자층을 형성하는 것을 포함하되, 상기 유기 실란 화합물층은 실리콘과 적어도 하나의 C-H가 결합된 물질을 포함하는 하부막 전처리 방법을 제공한다.</p>
