| 摘要 |
<p>동적 랜덤 액세스 메모리 (DRAM) 디바이스는, 상이한 금속 층들 상에 형성된 로컬 비트라인들 및 글로벌 비트라인들을 갖는 계층적 비트라인 구조를 갖는다. 로컬 비트라인들은 복수의 로컬 비트라인 섹션들로 분할되고, 비트라인 격리 스위치들은 글로벌 비트라인들에 로컬 비트라인 섹션들을 접속시키거나 또는 글로벌 비트라인들로부터 로컬 비트라인 섹션들을 접속해제시키도록 구성된다. 그 결과, 보다 낮은 길이당 커패시턴스를 갖는 글로벌 비트라인이 메모리 셀들의 셀 커패시턴스들로부터의 신호를 원격 감지 증폭기들로 루팅하는데 이용되기 때문에, 보다 높은 길이당 커패시턴스를 갖는 로컬 비트라인들은 더 짧게 형성될 수 있다.</p> |
