| 发明名称 |
用于电子装置中金属化作用之蚀刻化学;ETCH CHEMISTRIES FOR METALLIZATION IN ELECTRONIC DEVICES |
| 摘要 |
在各种不同实施例中，使用特征为(i)盐酸、甲磺酸、及硝酸之混合物或(ii)磷酸、甲磺酸、及硝酸之混合物之蚀刻剂来蚀刻金属双层，同时使该双层之该等层之间之最终蚀刻间断点(discontinuities)减至最少。 |
| 申请公布号 |
TW201538797 |
申请公布日期 |
2015.10.16 |
| 申请号 |
TW104106711 |
申请日期 |
2015.03.03 |
| 申请人 |
史达克公司 H. C. STARCK INC. |
发明人 |
后根 派崔克 HOGAN, PATRICK;墨尔 强恩 MOORE, JOHN;布瑞尔 亚力士 BREWER, ALEX;沛提特 亚瑞德 PETTIT, JARED |
| 分类号 |
C23F1/44(2006.01);C23F1/02(2006.01);C23F1/16(2006.01);H01L21/283(2006.01);H01L21/3213(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01) |
主分类号 |
C23F1/44(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 US |
