控制替代栅极结构高度的方法

摘要

一种控制替代栅极结构高度的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有若干替代栅极结构，所述替代栅极结构和半导体衬底表面形成有刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层表面形成有层间介质层；对所述层间介质层进行第一化学机械研磨，直至暴露出所述替代栅极结构表面的刻蚀阻挡层；对所述替代栅极结构之间的层间介质层进行回刻蚀，使得所述层间介质层表面与替代栅极结构表面的高度相适应；对所述替代栅极结构表面的刻蚀阻挡层进行第二化学机械研磨，直到暴露出所述替代栅极结构表面。由于所述刻蚀阻挡层周围的层间介质层被预先回刻蚀掉，第二化学机械研磨只会对刻蚀阻挡层进行研磨，最终形成的不同区域的替代栅极结构的高度都相同。

主权项

一种控制替代栅极结构高度的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有若干替代栅极结构，所述替代栅极结构和半导体衬底表面形成有刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层表面形成有层间介质层；对所述层间介质层进行第一化学机械研磨，直至暴露出所述替代栅极结构表面的刻蚀阻挡层；在所述第一化学机械研磨后，对所述替代栅极结构之间的层间介质层进行回刻蚀，使得所述层间介质层表面与替代栅极结构表面的高度相适应；对所述替代栅极结构表面的刻蚀阻挡层进行第二化学机械研磨，直到暴露出所述替代栅极结构表面。