| 发明名称 | 晶圆级芯片封装结构及其封装方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种晶圆级芯片封装结构及其封装方法，该晶圆级芯片封装结构包括金属凸点，所述金属凸点上设有阻挡层，所述阻挡层上设有焊球，所述金属凸点和所述阻挡层的外围设有塑封层，所述阻挡层的下表面位于所述塑封层的上表面以下。本发明还提供一种上述的晶圆级芯片封装方法，包括以下步骤：表面钝化处理；形成附着层；涂覆光阻材料并感光；形成再布线层；去除光阻材料；形成金属凸点的开口部分；形成金属凸点、阻挡层和铜层；去除光阻材料或干膜；去除附着层；进行塑封；打磨、减薄；刻蚀铜层；植球。本发明在晶圆级芯片封装结构中，增加一层阻挡层，可以有效阻止金属间化合物的不利影响。对于产品的电性能和机械性能有明显提高。 | ||
| 申请公布号 | CN104979318A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201510256076.5 | 申请日期 | 2015.05.19 |
| 申请人 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 发明人 | 丁万春 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人 | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 主权项 | 一种晶圆级芯片封装结构，包括金属凸点，其特征在于，所述金属凸点上设有阻挡层，所述阻挡层上设有焊球，所述金属凸点和所述阻挡层的外围设有塑封层，所述阻挡层的下表面位于所述塑封层的上表面以下。 | ||
| 地址 | 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 | ||