发明名称 晶硅太阳能电池表面绒层和隔离层的激光一次成型方法
摘要 本发明公开了晶硅太阳能电池表面绒层和隔离层的激光一次成型方法。本发明包括以下步骤:1.清洗晶硅硅片;2.制备表面绒层:氩气氛围下用透镜聚焦后的激光器光源扫描硅片表面,形成具有硅微粒和微凹陷的绒层。3.制备隔离层:采用同步送氧气,继续用激光扫描黑硅的边缘,得到二氧化硅隔离层。本发明的有效增益如下:表面绒层和绝缘层可一次成型;仅在氩气氛围下即可制备表面绒层,条件易满足,且得到的绒层250nm~1050nm波段的光反射率在10%以下;提出了绒层和隔离层在同一层面的晶硅太阳电池新结构,隔离层的制备提高了表面绒层利用率;表面绒层和隔离层制备,只涉及氩气和氧气,绿色环保。
申请公布号 CN103227237B 申请公布日期 2015.10.14
申请号 CN201310084670.1 申请日期 2013.03.15
申请人 北京工业大学 发明人 季凌飞;吕晓占;吴燕;李秋瑞;蒋毅坚
分类号 H01L31/18(2006.01)I;B23K26/00(2014.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人 刘萍
主权项 晶硅太阳能电池表面绒层和隔离层的激光一次成型方法,其特征在于,所述方法包括:(1)清洗硅片:首先将晶硅硅片置于氢氟酸溶液中,浸泡2‑5分钟,取出后用去离子水清洗;(2)制备表面绒层:开启氩气,吹拂需加工区域,流速5~15L/min,开启激光器,通过控制系统控制聚焦后的激光对硅片表面进行逐行扫描,能量密度为0.16J/cm<sup>2</sup>~0.48J/cm<sup>2</sup>,聚焦光斑半径R与相邻激光脉冲聚焦光斑偏移距离D的比值R/D的范围为9.0×10<sup>3</sup>~3.4×10<sup>4</sup>,得到绒层;(3)制备隔离层:关闭氩气,启同步输送氧气,流速:10~20L/min,通过控制系统继续控制激光在已制备的表面绒层边缘进行扫描,能量密度为0.16J/cm<sup>2</sup>~0.80J/cm<sup>2</sup>,扫描时聚焦光斑半径R与相邻激光脉冲聚焦光斑的偏移距离D的比值R/D的范围为9.6×10<sup>3</sup>~6.8×10<sup>4</sup>,得到二氧化硅隔离层;其中,步骤(2)和(3)的先后顺序可以互换。
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