| 发明名称 | 电子电路的活动性监测 | ||
| 摘要 | 用于监测数字信号的方法和设备，其中，在被监视的信号处于第一状态期间，将第一P-通道MOS晶体管置于负偏置温度不稳定性型的退化状态；当所述被监视的信号切换到第二状态时，测量代表第一晶体管的饱和电流的第一数值；以及当该第一数值超过阈值时，切换检测信号。 | ||
| 申请公布号 | CN101996125B | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201010252651.1 | 申请日期 | 2010.08.10 |
| 申请人 | 意法半导体(鲁塞)公司 | 发明人 | 西尔维·维达尔 |
| 分类号 | G06F11/30(2006.01)I;G06F21/71(2013.01)I | 主分类号 | G06F11/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 一种用于监测数字信号(EN)的方法，其中：在被监视的信号处于第一状态期间，将第一P‑通道MOS晶体管(P1)置于负偏置温度不稳定性NBTI型的退化状态；当所述被监视的信号切换到第二状态时，测量代表第一P‑通道MOS晶体管(P1)的饱和电流的第一数值(V<sub>MES</sub>)；以及当所述第一数值超过阈值(TH)时，切换检测信号(DET)。 | ||
| 地址 | 法国鲁塞 | ||