| 发明名称 | 一种片式多层陶瓷电容器用低损耗微波介质陶瓷材料 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种片式多层陶瓷电容器用低损耗微波介质陶瓷材料，其化学式为Zn<sub>3</sub>(Nb<sub>0.8</sub>Ta<sub>0.2</sub>)<sub>2</sub>O<sub>8</sub>，采用化学原料ZnO、Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>、Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>，于900℃煅烧合成前驱体，于1100～1180℃烧结。本发明通过使用Ta<sup>5+</sup>对Nb<sup>5+</sup>进行了少量取代，有效提高了其品质因数(60,823～98,700GHz)，其烧结温度为：1100～1180℃，介电常数为20～24，谐振频率温度系数为-40～-37×10<sup>-6</sup>/℃。此外，本发明制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN103964847B | 申请公布日期 | 2015.10.07 |
| 申请号 | CN201410165957.1 | 申请日期 | 2014.04.23 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 李玲霞;蔡昊成;高正东;孙浩;陈俊晓;吕笑松 |
| 分类号 | H01B3/12(2006.01)I;C04B35/495(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | H01B3/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人 | 张宏祥 |
| 主权项 | 一种片式多层陶瓷电容器用低损耗微波介质陶瓷材料，其化学式为Zn<sub>3</sub>(Nb<sub>0.8</sub>Ta<sub>0.2</sub>)<sub>2</sub>O<sub>8</sub>；该片式多层陶瓷电容器用低损耗微波介质陶瓷材料的制备方法，具有以下步骤：(1)将化学原料ZnO、Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>、Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>分别按Zn<sub>3</sub>(Nb<sub>0.8</sub>Ta<sub>0.2</sub>)<sub>2</sub>O<sub>8</sub>化学计量比称量配料；(2)将步骤(1)配置好的化学原料混合，放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨2～6小时，再将球磨后的原料于红外干燥箱中烘干，过筛；(3)将步骤(2)过筛后混合均匀的粉料于900℃煅烧，保温4小时合成前驱体；(4)在步骤(3)的前驱体中外加质量百分比为0.95～1.35％聚乙烯醇，放入球磨罐中，再加入氧化锆球和去离子水，球磨5～10小时，烘干后过筛，再用粉末压片机压力成型为坯体；(5)将坯体于1100～1180℃烧结，保温4～6小时，制成片式多层陶瓷电容器用低损耗微波介质陶瓷材料；(6)采用网络分析仪测试微波介质陶瓷材料的微波介电性能。 | ||
| 地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号 | ||